ピクセルサイズ20μmで10nmの段差を捉えます。

従来マクロ的に捉える事が難しかった結晶欠陥も、弊社のマクロ技術ならご覧のレベルまで可視化することが可能です。量産工程導入実績があります。

さらに目視では全くの鏡面であるウェハー表面も、本光学系と独自開発の可視化フィルターを用いれば、ここまでのナノオーダーでウェハー（PW)表面の凹凸が可視化出来ます。

このDATAは2006年2月、SPIEにて発表した時の内容になります。
CD（クリティカル ディメンジョン）と画像輝度との高い相関を実現しました。

SEMで1Chip　400ポイント　2時間かけて測定する代わりにマクロでさっとスキャン20秒でウェハー全チップの線幅が管理できます。

ナノインプリント量産工程では、テンプレートや転写後ワークの管理必須です。 OAS1マクロテクノロジーなら管理したい見たいムラの最適観察条件を簡単に抽出。テンプレートや転写されたワークの状態が一目瞭然です。